Развитие принципиально новой методики выращивания буферного слоя карбида кремния SiC на кремнии Si с контролируемым политипизмом для создания оптических устройств и приборов.

Информация © 2015-2020 Университет ИТМО
Разработка © 2015 Департамент информационных технологий