Новые методы эпитаксиального синтеза слоев широкозонных материалов, в том числе гетероструктур на основе GaN, и создание новых материалов и приборных структур для СВЧ и ТГц электроники и оптоэлектронике на поверхности кремния.

Исследования комбинированных структур металл-полупроводник   

Информация © 2015-2020 Университет ИТМО
Разработка © 2015 Департамент информационных технологий