ru en

Нитевидные нанокристаллы рост и свойства

Теоретические и экспериментальные исследования процессов формирования III-V и III-N полупроводниковых нитевидных нанокристаллов и гетероструктур на их основе по механизму «пар-жидкость-кристалл».

 Контроль кристаллической структуры III-V нитевидных нанокристаллов путем изменения условий эпитаксиального осаждения.  Методы синтеза и физические свойства принципиально нового типа квантовых точек в III-V нитевидных нанокристаллах, основанных на чередовании различных кристаллических фаз одного материала (кубический – ZB и гексагональный – WZ GaAs).  

Исследования механизмов релаксации упругих напряжений в наноструктурах и методов, позволяющих радикально уменьшить количество структурных дефектов в оптически активной области.

Создание функциональных приборных структур на основе III-V полупроводников (в том числе, интегрированных с кремнием) для светодиодов, источников одиночных фотонов, солнечных элементов, наносенсоров. 

Информация © 2015-2020 Университет ИТМО
Разработка © 2015 Департамент информационных технологий